Get Adobe Flash player
  • 76657120_Wallpapers-room_com___2008-Audi-TT-Clubsport-Quattro-Front-Angle_1600x1200.jpg
  • 466007446_lexus-lfa-1600-1200-4447.jpg
  • 687704052_subaru-impreza-wrx-sti-1600-1200-5164.jpg
  • 782946707_1-wallpaper_car_ferrari_458-italia-supercar_1600x1200.jpg
  • 875484540_seat-leon-tuned-1600-1200-5834.jpg

Насыщенность транзистора

Время перехода транзистора из состояния насыщения в состояние отсечки определяется, главным образом, продолжительностью существования носителей тока в базовой области. Для того, чтобы ускорить процесс запирания транзистора и, тем самым, уменьшить степень нагрева транзистора, применяют различные схемные решения: шунтируют переход транзистора резистором; вводят источники активного запирания и т. д. После перехода выходного транзистора коммутатора в состояние насыщения сила тока в первичной цепи катушки зажигания нарастает по экспоненциальному закону, который можно представить в виде математического выражения. Сила тока разрыва первичной цепи в начале перехода транзистора в состояние отсечки определяется по формуле, частота вращения коленчатого вала; число цилиндров двигателя; время нахождения выходного транзистора в состоянии насыщения. При низких частотах вращения коленчатого вала двигателя сила тока разрыва первичной цепи катушки зажигания, как правило, определяется суммарным сопротивлением первичной цепи, а при высоких значениях и зависит от индуктивности первичной обмотки катушки зажигания.

Новости

Купить сплит системы цена Купить сплит систему цена.

Поиск по сайту