Get Adobe Flash player
  • 76657120_Wallpapers-room_com___2008-Audi-TT-Clubsport-Quattro-Front-Angle_1600x1200.jpg
  • 466007446_lexus-lfa-1600-1200-4447.jpg
  • 687704052_subaru-impreza-wrx-sti-1600-1200-5164.jpg
  • 782946707_1-wallpaper_car_ferrari_458-italia-supercar_1600x1200.jpg
  • 875484540_seat-leon-tuned-1600-1200-5834.jpg

Переход транзистора

В процессе перехода транзистора в состояние отсечки и при свободных колебаниях в первичном и вторичном контурах катушки зажигания рабочая точка транзистора не должна выходить за пределы зоны безопасности работы транзистора в импульсном режиме. Сила тока в первичной цепи не должна превышать максимально допустимую силу тока коллектора транзистора, а напряжение на коллекторном переходе не должно быть больше граничного напряжения — напряжения первичного пробоя. Граничное напряжение зависит от условий запирания транзистора. Напряжение пробоя коллекторного перехода транзистора всегда меньше напряжения пробоя диодного перехода база-коллектор, что обусловлено возникновением эффекта лавинного «умножения» носителей тока в коллекторном переходе. Граничное напряжение меньше при обрыве цепи базы и больше при активном запирании транзистора. Если допустимый уровень граничного напряжения выше, можно уменьшить коэффициент трансформации катушки, увеличить индуктивность ее первичной обмотки, уменьшить силу тока разрыва первичной цепи и, следовательно, температуру нагрева элементов системы зажигания.

Новости

Поиск по сайту